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硅對鎘脅迫下煙草葉片PSⅡ葉綠素熒光特性的影響

2019-09-19  閱讀次數: 
 
        為明確硅對鎘脅迫下煙草葉片光系統Ⅱ(PSⅡ)葉綠素熒光特性的影響,以云煙87為材料,通過室內水培試驗分析煙草PSⅡ快速葉綠素熒光誘導動力學特性。結果表明,鎘脅迫可導致快速葉綠素熒光誘導動力學曲線(OJIP)發生變化,最小熒光值(Fo)和最大熒光值(Fm)顯著降低。鎘脅迫下最大光化學效率(Fv/Fm)、放氧復合體(OEC)、受體庫容量(Sm)、電子傳遞量子產額(φEo)、單位面積反應中心數量(RC/CSo)和性能指數(PIabs)降低,K相相對可變熒光(Vk)、J相相對可變熒光(VJ)和QA還原速率(Mo)顯著增加,說明鎘脅迫導致煙草葉片光合機構完整性被破壞,單位PSⅡ反應中心數量發生變化,PSⅡ供、受體側受到毒害,抑制光合電子傳遞。加硅處理的熒光動力學曲線基本與對照重合,OEC、Sm、φEo、RC/CSo、PIabs顯著增加,Vk、VJ、Mo顯著降低。因此,加硅處理能夠穩定PSⅡ的結構和功能,緩解鎘脅迫對煙草葉片光合機構的傷害,有利于光合電子的傳遞。

 

 

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